Características principales:

– Núcleos 8 e hilos 16
– Frecuencia base 4.7 GHz, boost 5.2 GHz
– Caché L3 total de 96 MB
– Caché L2 total de 8 MB
– Socket AM5
– TDP predeterminado de 120W
– Temperatura máxima de 95°C
– Tecnología de proceso TSMC 4nm FinFET